Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

TI量產具PLL的DDR3暫存器SN74SSQE32882

上網時間: 2008年04月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SN74SSQE32882  DDR3  PLL 

德州儀器(TI)發表量產、具有鎖相迴路(PLL)的DDR3暫存器,SN74SSQE32882為針對附帶暫存器的雙線記憶體模組(RDIMMs)所設計,可透過固定的時脈及輸出延遲來消除對電壓與溫度變化的影響,使系統更具穩定性。

該元件為單晶片四排(quad rank)的設計,可更節省電路板上的整體空間,同時能降低伺服器、工作站以及儲存裝置的耗電量。

SN74SSQE32882 28至56位元暫存緩衝器的操作電壓為1.5V,並支援同位檢查的功能以確保其可靠性。該晶片可支援由800Mbps到1333Mbps的高資料傳輸率,以提供客戶在設計上的彈性,而且單一模組可支援高達72個DRAM。

其它主要功能包括:時脈致能(CKE)省電模式、控制模式的暫存器、輸出驅動器的強度控制、以及300~670MHz的操作頻率。

SN74SSQE32882採用176錫球MicroStar BGA封裝,目前已開始供應。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - TI量產具PLL的DDR3暫存器SN74SSQE32882
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首