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功率技術/新能源  

ST為FDmesh II系列MOSFET電晶體添新品

上網時間: 2008年05月16日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:FDmesh II  STW55NM60ND  電晶體 

意法半導體(ST)推出FDmesh II系列快速恢復MOSFET電晶體新產品STW55NM60ND,以滿足包括再生能源控制器在內的、以能效為中心的應用需求,新產品在現有產品的基礎上提高了開關性能,同時還使導通電阻實現超過18%的降幅。

STW55NM60ND是FDmesh II系列產品的首款產品,這是一款600V N通道MOSFET電晶體,0.060歐姆的導通電阻,採用產業標準的TO-247封裝。由於最大漏極電流達到51A,在對空間有嚴格要求的電信設備和伺服器系統轉換器中,可以用一個MOSFET電晶體替代多個標準元件。再加上降低的損耗實現更高的熱管理效率,新產品讓設計工程師大幅度提高功率密度。

為把這些改進的性能變為現實,ST對FDmesh超結架構進行了技術改進,在傳統的帶狀MOSFET結構中融合垂直結構,同時還內建一個速度更快、可靠性更強的本徵體二極體。除降低導通電阻和恢復時間外,透過降低閘電容器、閘電荷和閘輸入電阻,這些技術改良更能提高開關效率,降低驅動損耗。

在開關期間提高的可靠性,特別是在橋式拓樸中,包括在低負載下的零壓開關(ZVS)結構,使新產品具有很高的dv/dt值。

採用這項技術的未來產品還將提供更多的封裝選擇和電流性能,每款封裝都讓快速恢復MOSFET電晶體具有最低的導通電阻。其中STP30NM60ND採用TO-220封裝,額定漏極電流25A,導通電阻0.13歐姆;STD11NM60ND採用DPAK貼裝封裝,漏極電流10A,導通電阻0.45歐姆。

ST的FDmesh II系列產品將不斷推出新產品,以擴大電壓和電流性能的選擇範圍,後續產品將採用業界標準的功率封裝。STW55NM60ND現在已開始量產。





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