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和艦與常憶共同發表0.18um嵌入式快閃記憶體技術

上網時間: 2008年05月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:0.18um  快閃記憶體  2T-PMOS 

中國專業晶圓代工企業和艦科技(HeJian)與非揮發性記憶體設計公司常憶科技(Chingis)共同宣佈,成功開發出擁有更耐用且更小記憶體面積等優點的0.18um浮動閘極嵌入式快閃記憶體技術。

透過與常憶科技的密切合作,和艦完成了此項非揮發性記憶體製程的開發和品質驗證,同時開發出不同儲存容量的快閃記憶體,並達成高良率目標。目前該技術已被多家和艦客戶所採用與投產。

常憶科技表示,該公司專有的2T-PMOS單元結構專利是實現該新嵌入式快閃記憶體優勢的重要因素,例如低功耗、抗干擾能力強,以及最小記憶體面積等。特別是在-40℃到105℃的溫度範圍內,以及在200K週期寫入/擦除次數的嚴苛條件後,資料保存時間在高溫下至少可達20年。

和艦科技表示,這一新的0.18um嵌入式快閃記憶體技術與標準的0.18um CMOS製程完全相容,使得和艦目前0.18um制程所有的知識產權庫和設計單元資料庫能夠與之整合。而且同一個記憶體經客制化可允許同時存在不同大小配置的擦除,因而提升系統配置的彈性,可滿足客戶在這方面的特殊需求。

此外,對於需求在8Mb範圍內的非揮發性嵌入式快閃記憶體系統應用而言,該技術可提供最小的記憶體面積。這項製程還具備可升級性,且其基於更先進製程的下一代製程技術現正研發中,預期可使其單元面積再縮小至少40%。





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