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力旺/富士通合推0.18微米製程非揮發記憶體技術

上網時間: 2008年05月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:非揮發性記憶體  矽智財  製程平台 

力旺電子(eMemory)宣佈,日商富士通微電子(Fujitsu Microelectronics)採用力旺開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體矽智財,成功開發0.18微米高壓(HV)及邏輯(Logic)製程平台。富士通微電子憑藉其整合元件大廠(IDM)的技術實力,藉此平台可提供更完整的專業晶圓代工製造服務。

0.18微米Neobit嵌入式非揮發性記憶體技術可應用於微控制器(MCU)、液晶顯示器驅動晶片(LCD Driver IC)、電源管理晶片(PMIC)、類比晶片(Analog IC)等產品,富士通微電子將運用0.18微米成熟製程之高壓(HV)及邏輯(Logic)製程平台擴充產品線。

富士通微電子積極建構快閃記憶體、嵌入式非揮發性記憶體及高壓元件等技術平台,並與力旺電子策略合作,快速完成0.18微米高壓及邏輯製程之導入及產品線之量產應用,充分發揮其在記憶體技術上豐富之開發經驗。

Neobit OTP元件在高壓製程平台上,可使晶片在封裝後或是安裝在模組上後,針對因封裝而改變的參數進行微調設定並提升模組的特性,提高晶片的良率以及提升晶片乃至整個電子系統之產品性能,提高產品設備與製造上之彈性,並快速有效地進行產品客製化。

富士通微電子將於高壓及邏輯製程針對微控制器、液晶顯示器驅動晶片、電源管理晶片、類比晶片等產品線提供OTP解決方案晶圓代工服務,未來力旺電子與富士通微電子將致力於更先進製程技術之開發及產品的應用擴散,以使技術能力與市場佈局更趨完整。





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