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功率技術/新能源  

導通電阻低至11mΩ的功率MOSFET

上網時間: 2008年06月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Siliconix  MOSFET  PowerPAK  PDA  MP3 

Vishay Intertechnology日前推出15款新型Siliconix功率MOSFET,該元件採用2mm × 2mm的PowerPAK SC-70小型封裝,尺寸為TSOP-6的一半,導通電阻則低至僅有11mΩ,是業界首款採用此封裝類型的12V元件。

新元件厚度為0.8mm,適合不同應用的各種配置及額定電壓,除了n通道及p通道的互補對外,還包括n通道及p通道的單路、單路帶蕭特基二極體的及雙路的元件。元件的電壓介於8V至30V之間,在4.5V時導通電阻值低至0.011Ω。

Vishay表示,隨著便攜設備的體積越來越小,以及它們功能的不斷增加,其可用電路板空間會極大減少。設計人員需要設計體積更小的解決方案,同時維持較低的功耗,從而盡可能延長電池在充電間隔期間的使用時間。

為了滿足此需求,PowerPAK SC-70將SC-70封裝的超小尺寸與較大TSOP-6所對應的導通電阻相結合。上述解決方案可在實現極低的功耗,而封裝尺寸是TSOP-6的一半且厚度比TSOP-6薄27%。除有助於節能外,PowerPAK SC-70還是100%無鉛、無鹵素且符合RoHS規範的封裝,可滿足國際法規關於消除有害物質的要求。

Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET的典型應用將包括為手機、PDA、數碼相機、MP3播放器、筆記本電腦、攜帶型HDD及微型電機驅動等便攜設備負載開關及電池充電。

目前推出的元件包括SiA413DJ,它是業內首款採用此封裝尺寸的12V單路p通道元件。SiA913DJ及SiA912DJ分別是首款12V雙路p及n通道MOSFET,而SiA511DJ是首款12Vn通道及p通道互補對。

採用SC-70封裝尺寸的多款元件在導通電阻方面刷新紀錄。新型SiA421DJ在4.5V時額定電阻為0.056Ω,在30V單路p通道類別中的導通電阻最低。SiA914DJ的導通電阻為0.053Ω,是業內導通電阻最低的20V雙路p通道MOSFET。新產品中的兩款為單板、低壓降(VF)蕭特基二極體。

SiA810DJ的額定電阻為0.053Ω,是導通電阻最低的20V單路n通道帶蕭特基二極體的元件,而SiA811DJ的額定電阻為0.094Ω,是導通電阻最低的20V單路p通道帶蕭特基二極體的元件。

SiA413DJ和SIA411DJ MOSFET的額定導通電阻低至1.5V VGS,可實現較低功耗,降低了對電平相移電路的需要,從而節省了電路板空間。之前推出的採用PowerPAK SC-70封裝的元件包括SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ,額定導通電阻低至1.2VVGS。另外,額定電阻為0.011Ω的SiA414DJ和額定電阻為0.023Ω的SiA417DJ是採用此封裝類型的首款元件,其額定擊穿電壓為8V。





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