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新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

上網時間: 2008年06月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Si8445DB  TrenchFET  MOSFET 

Vishay推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET--Vishay Siliconix Si8445DB,該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝,具有最小佔位面以及1.2V阻通電阻。

Vishay Siliconix Si8445DB 所具有1.2×1.0mm佔用面積。在1.2V VGS時具有0.495Ω以及4.5V VGS時具有0.084Ω的低導通電阻範圍。1.2V時的低導通電阻額定值降低了對電平位移電路的需求,因而節約了可攜式電子設計中的空間及功率。

該新元件適用於手機、PDA、數位相機、MP3播放器及智慧型電話等可攜式設備中的低閾值負載開關、充電器開關及電池管理。目前該新型MICRO FOOT晶片級功率MOSFET的樣品與量產批量已可提供。





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