Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

位元欄位編程與根據MirrorBit技術所設計的快閃記憶體產品

上網時間: 2008年08月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:multiple programming  bit field programming 

在某些快閃記憶體的應用中,多重編程在相同的位元組或是字元上需要作個別位元的改變。這些程式可能包括封包的位元欄位, 計數器和進度指示器,與其功率損耗容忍度(power loss tolerance)。使用Spansion公司230奈米與200奈米MirrorBit技術而設計的記憶體產品,可用16字長的寫入緩衝器最佳化編程效能,此寫入款衝器也可就相同位址的位元組或是字元作多重編程。

此份文件探討在同樣位址執行多重編程時最理想的方法。

View the PDF document for more information.





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 位元欄位編程與根據MirrorBit技術所設...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首