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英飛凌與美光共推128MB以上高密度SIM卡

上網時間: 2008年11月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:HD-SIM  ECC  API 

英飛凌(Infineon)與美光科技(Micron)日前宣佈共同開發容量達128MB以上高密度SIM卡的策略性技術合作方案,該方案將結合英飛凌的安全微控制器與美光專為HD-SIM應用而設計創新NAND快閃記憶體,設計出模組化晶片。

針對該高密度SIM卡解決方案,美光將採用50奈米與34奈米製程技術製造該NAND記憶體,開發的成果將應用於HD-SIM卡,除此之外並提供多項新功能,包括:串接的NAND快閃記憶體提供128MB以上容量HD-SIM卡;錯誤校正碼(ECC)電路內建於美光NAND快閃記憶體;電源管理功能,設計符合歐洲電信標準協會(ETSI)規格,HD-SIM解決方案作業電壓範圍從1.8V~3.3V,且符合ETSI建議的低作業電流規格;以及採用相容的應用程式協定介面(API)和相關軟體堆疊,因此易於NOR與NAND技術之間切換轉移。

英飛凌科技晶片卡與安全事業群副總裁暨總經理Helmut Gassel表示:「英飛凌為未來的SIM卡發展找到了新定位:不僅能作為儲存大量的影音內容之用,甚至可望取代快閃記憶卡。英飛凌致力於開發規格更為完整的HD-SIM卡系列產品組合,容量涵蓋從數MB到2GB。」

產品原型預計在2009年秋季問世,並將採用裸晶片或經濟型晶片卡IC封裝形式銷售。





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