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奇夢達量產Buried Wordline DRAM技術

上網時間: 2008年11月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Buried Wordline  DRAM  DDR2 

奇夢達公司(Qimonda)宣佈開始量產使用Buried Wordline技術的DRAM晶片。以65奈米Buried Wordline技術製造生產的1Gbit DDR2,已於十月份首次銷售。此外,奇夢達完成了新一代46奈米Buried Wordline技術,並以此技術為基礎,製造出全球最小的2G DDR3晶片。

奇夢達表示,在該公司於德勒斯登的實驗室中,已將65奈米Buried Wordline技術製作的初製晶圓(wafer starts)增加至每個月數百片,並計劃在接下來幾個月內,將剩餘產能都轉換至65奈米Buried Wordline技術。此外,該公司已提前完成下一代46奈米Buried Wordline技術的產出,並計劃於2009年年中量產。

奇夢達已於2008年2月提出了新的技術藍圖和第一個以創新的Buried Wordline技術結構生產的功能樣品。Buried Wordline技術結合了奇夢達溝槽技術的省電優點以及廣泛應用於DRAM產業的標準堆疊電容器技術。奇夢達的Buried Wordline技術概念是以其製造矽晶圓的蝕刻和充填結構經驗,進而發展出達成完全垂直單元(vertical cells)的DRAM cell技術領域突破。

此外,Buried Wordline技術將cell尺寸減少至4F2。第一代65奈米Buried Wordline技術已經降低cell尺寸至6F2,而目前奇夢達量產的75奈米技術則為8F2。65奈米技術結合了較小的尺寸,使每晶圓的位元數比75奈米溝槽式技術增加了40%以上。而結合了6F2 cell尺寸的46奈米技術,使每晶圓位元數比65奈米技術多了兩倍以上,也較75奈米節點改進了200%。

部份的Buried Wordline技術發展是由歐洲共同體下EFRE的技術發展基金和德國薩克森州的資金補助。





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