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影響ESD保護需求的IC未來趨勢

上網時間: 2008年11月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Moore's Law  nMOS  IC 

過去40年來表現亮眼的IC產業可簡單地以摩爾定律(Moore's Law)呈現;‘每兩年IC上的電晶體數量將以兩倍的速度成長。’而邁向成功背後的秘密在於IC體積上的縮小。

為了同時維持電路的穩定性以及更小的體積,IC的工作電壓持續地遞減。在國際半導體技術藍圖(The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)的記錄中也表示,這個趨勢在未來也將繼續發酵。隨著IC的工作電壓的遞減,造成電路損壞的電壓也將遞減。

轉向小型模式發展也造成了IC技術的基礎變化,對於各技術固有的抗ESD能力具有負面影響。一個主要案例是CMOS技術中nMOS電晶體的革新。本應用實例顯示了針對ESD設計的強固IC的過去及未來趨勢。

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