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Intersil推新系列同步整流降壓式MOSFET驅動器

上網時間: 2008年11月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET驅動器  VR11.1系統  ISL6622 

Intersil推出新系列12V至5V同步整流降壓式MOSFET驅動器,為英特爾(Intel) VR11.1系統提供業界最高的輕負載效率。ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力,以及快速上升/下降時間,支援高達1MHz的開關頻率,這將有助於實現非常高的總體效率。

ISL6622結合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N通道MOSFET,其先進PWM協議可為先進微處理器提供完整的核心電壓穩壓器解決方案。該元件有助於實現提高輕負載效率所需PSI模式期間的二極體模擬作業,並透過電感器電流為零時的檢測實現非連續導通模式(DCM)。

當檢測到“零”時,低側MOSFET處於切斷狀態,以防止出現吸收電流並消除伴隨反向電流的功率損失。Intersil的閘極電壓最佳化技術(GVOT)還適用於PSI模式;透過降低閘極驅動電壓,可以顯著降低控制輕負載條件下總功耗損失的開關損耗。這增加了ISL6622提供的總效率。

這些PWM控制器還具有自適應擊穿保護功能,以防止高低側MOSFET的同時導通。此外,這些控制器還整合了一個20kΩ的高側閘極至源極電阻器,以防止由於高輸入匯流排差動電壓引起的自導通。

與VCC同時作業的過壓保護可以降至POR閾值:PHASE節點可通過一個10kΩ電阻器連接至低側MOSFET(LGATE)的柵極,以使轉換器的輸出電壓保持接近低側MOSFET柵極閾值。這種能力可以防止出現負載高側MOSFET短路的情形。

該驅動器採用具有不同驅動電壓的兩種封裝類型。ISL6622採用8接腳SOIC封裝,可在正常PWM模式期間將高側和低側柵極驅動至VCC;在PSI模式時將低側柵極降至固定5.75 V典型值。ISL6222A採用10接腳DFN封裝,通過UVCC接腳可以將高側柵極驅動到5V至12V;低側柵極有一個可選的電阻器,可以在PSI模式下驅動5.75V、6.75V和7.75V的典型電壓。

新系列MOSFET驅動器適用於採用英特爾處理器建構的各種伺服器、工作站、桌上型電腦和遊戲主機板應用。同時,它們也是VRM應用的理想設計方案。





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