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NXP針對L波段雷達推出最高速的RF輸出功率元件

上網時間: 2008年11月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:L波段  LDMOS  BLL6H1214-500 

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)擴張其RF Power電晶體產品線,近日推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)電晶體,可在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的RF輸出功率。

針對大範圍的L波段雷達應用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率電晶體設置了新的效率標準(漏極效率大於50%)、增益(17dB)和達500W的耐用度。

恩智浦L波段RF電晶體BLL6H1214-500的主要表現參數包括500W峰值輸出功率(在1.4GHz、100μs脈衝寬度,25%佔空比時)、17dB增益、50%的漏極效率、更佳的耐用度、能夠承受高達5dB的過驅動能力、更佳脈衝偏差值(低於0.2dB)、供電電壓50V,以及符合ROHS標準的無毒封裝。

恩智浦的此款元件結合了雙載子管的功率密度和適用於L波段雷達設計LDMOS技術優勢,其環保的陶瓷封裝,可與BeO封裝互相替代。BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率電晶體即將上市。





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