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熱穩定時間<1s的VFCD1505分壓器

上網時間: 2009年03月03日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:VFCD1505  分壓器  PCR 

Vishay Intertechnology宣佈強化其VFCD1505表面黏著覆晶晶片分壓器的功能,其暫態熱穩定時間小於1秒,當溫度範圍在0℃~+60℃和-55℃~+125℃(參考溫度+25℃)時,該元件具有±0.05ppm/℃和±0.2ppm/℃的超低絕對TCR;額定功率時具有±5ppm的PCR追蹤及±0.005%(50ppm)的負載壽命穩定率。

VFCD1505可在同時蝕刻在公共襯底上的一塊箔上的兩個電阻間提供±0.01%(可低至±0.005%)的嚴格容差匹配及0.1ppm/℃的TCR跟蹤。對設計人員而言,該一體化結構的電氣特性可改進性能,並實現比分離電阻和配對設計更高的構建利用率。

VFCD1505的覆晶晶片接頭採用捲繞方式,接頭片位於電阻下方而不是側面,因此可最大限度地減少所需的電路板空間。在由兩個電阻和三個接頭組成的分壓器中,覆晶晶片分壓器在電阻下方配置三個墊片,而不是在側面配置四個墊片。覆晶晶片早期的缺點被認為是防礙檢查焊流,但這一缺點已透過採用X光和其他先進技術而克服。

VFCD1505可承受25kV的靜電放電,提高了產品的可靠性。在1kΩ至10kΩ的電阻範圍內,分壓器兩面均可實現規定的電阻值。與所有Vishay箔電阻一樣,VFCD1505不受標準值限制,可提供「所要求」的電阻值(如7kΩ及7.6543kΩ),且不會增加成本或供貨時間。

該元件的應用包括高精度儀器放大器、橋接網路、差分放大器及電橋電路中的比例臂,以生產具有超高穩定性和可靠性的產品,例如醫療、測試及軍用設備等。可根據EEE-INST-002標準進行篩選(MIL-PRF 55342)。

VFCD1505可在溫度為70℃時,連續2,000個小時保持±0.005%的負載壽命穩定率;0.1W的額定功率(由兩個電阻按其電阻值比例分攤);小於0.1PPM/V的低電壓係數;小於-40dB的電流雜訊;及0.05uV/℃的熱EMF。該元件具有1.0奈秒的無振鈴快速回應時間,並且採用無電感(<0.08uH)和無電容設計。

即使具有較低的TCR追蹤,電阻比率也可能會根據絕對TCR發生極大變化。為了確保良好的電阻比率穩定性,設計人員應利用絕對TCR盡可能低的電阻,如VFCD1505,該元件採用Vishay的Z箔技術製成,大幅降低了電阻元件對外加功率變化的敏感性。

在其他技術中,如薄膜與厚膜,即使電阻比率為1:1,在相同功率負載條件下,電阻對之間仍有溫差。這是由於各電阻因設計及/或製造容差產生的自身散熱,及因封裝內熱阻差異產生的傳熱不對稱所致,即使外加功率極小(接近零)也不例外。





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