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富士通首推兩款125℃低功耗SiP FCRAM

上網時間: 2009年06月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MB81EDS516545  MB81EDS256545  FCRAM 

富士通(Fujitsu)微電子(上海)公司推出兩款新型消費性FCRAM記憶體晶片,分別為512Mb的MB81EDS516545,以及256Mb的MB81EDS256545。兩款晶片均支援DDR SDRAM介面,並首度將工作溫度範圍擴大至125℃。

富士通微電子已開始提供這兩款新型FCRAM產品,主要應用將瞄準數位電視、數位視訊相機等消費性電子產品的系統級封裝(SiP)元件。

如果SiP架構上的系統單晶片(SoC)整合了新型FCRAM晶片,當SiP工作速度提高導致工作溫度上升時,記憶體也不會對作業造成影響或限制,客戶將從中受益。此外,它還具有其它優勢,如可降低產品設計開發難度,節省電路板空間,並減少元件數量。

目前,市場對消費性數位產品的性能、速度和開發成本的要求越來越高。為滿足這些需求,就會更多地使用SiP,要求它同時整合具有SoC的記憶體晶片。使用SiP可以減少元件數量並節省電路板空間,進而能夠降低系統成本。使用SiP還能簡化高速記憶體開發或採取降噪措施等設計。

即使在125℃的環境下執行,這些新型FCRAM產品也可以提供傳統DDR SDRAM記憶體兩倍的數據傳輸率,同時還能保持低功耗。事實上,與傳統的DDR2 SDRAM記憶體相較,新型512Mb FCRAM能降低功耗達50%。所以,這些新型FCRAM可以減少消費性電子產品的記憶體的二氧化碳排放達50%。





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