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RFMD宣佈提供氮化鎵晶圓代工服務

上網時間: 2009年06月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:氮化鎵  GaN  GaAs 

RF Micro Devices, Inc.(RFMD)宣佈成立氮化鎵(GaN)晶圓代工服務事業單位,以提供高可靠性、高效能和具價格競爭力的GaN半導體技術至多重RF電源市場。

RFMD GaN晶圓代工服務事業單位將運用該公司在砷化鎵(GaAs)製造能力、週期時間的優勢與廣泛新客戶服務,以達到更短的產品上市時間,並將從最初晶圓訂購至最後交貨的時間減到最短。

RFMD GaN是新一代的化合物半導體技術,其能提供比競爭技術更高的功率密度和擊穿電壓,適用於非常高效能電源裝置。RFMD GaN的典型操作特性包括48 (或65)伏特的操作電壓,6至8watts/mm的功率密度,11GHz FT和18GHz F max、以及高於108小時於150°C T的通道操作。

RFMD提供的GaN晶圓代工服務擁有最大型GaAs製造廠的優勢,以及為客戶提供數十億單位高可靠性、高品質化合物半導體RF零組件的經驗。透過運用既有,高量能的製造資產,RFMD期望以更高可靠性和一致性,為圓代工客戶提供晶GaN技術。RFMD並預計透過其晶圓廠的GaN週期時間將比競爭者快30-40%。

此外,透過RFMD的半導體製程效能,RFMD的晶圓代工服務事業單位可透過減少為符合客戶規格所需執行的原型量,降低客戶開發成本。RFMD GaN的應用範圍預期將可涵蓋商業和防禦電源領域,包括無線基礎設施、CATV線性放大器、寬頻通訊、功率放大器和各式防禦雷達系統。





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