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功率技術/新能源  

快捷新FDMC8200整合雙MOSFET

上網時間: 2009年07月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  FDMC8200  NETBOOK 

快捷半導體(Fairchild Semiconductor)新推出一款雙MOSFET解決方案FDMC8200,採用3mm x 3mm MLP封裝,整合了控制(高側)和同步(低側)30V N溝道MOSFET,可為筆記型電腦、小筆電(netbook)、伺服器、電信和其他DC-DC設計提供更高的效率和功率密度

FDMC8200中的最佳化控制(高側)和同步(低側)30V N溝道MOSFET均使用專用的先進高性能PowerTrench 7 MOSFET技術,提供出色的低RDS(ON)、整體的閘極電荷(QG)和米勒電荷(QGD),這些性能可將傳導和開關損耗減到最小,從而帶來更高的效率。

FDMC8200高側RDS(ON)通常為24mOhm,低側則為9.5mOhm,可提供大於9A的電流供主流計算應用,而經優化的接腳輸出和占位面積,為佈局和佈線帶來了便利性,並簡化設計。

FDMC8200藉由先進的封裝技術和專有的PowerTrench 7製程,在節省空間的同時,熱性能也提升了,從而解決DC-DC應用的主要設計難題。採用緊湊型高熱效的3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術,其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

這款雙MOSFET元件是快捷半導體廣泛的先進MOSFET技術產品系列中的一部分,全系列產品均擁有廣闊的擊穿電壓範圍和現代化的封裝技術,同時實現高效的功率管理和低熱阻的特點。同系列其他產品包括整合有FET模組的FDMS9600S和FDMS9620S元件,同樣能夠顯著地節省電路板空間,並提升同步降壓設計以達到更高的轉換效率。





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