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功率技術/新能源  

Vishay新元件在單封裝內整合不對稱功率MOSFET

上網時間: 2009年07月13日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SiZ700DT  不對稱  功率MOSFET 

Vishay推出在一個封裝內整合一對不對稱功率MOSFET系列的首款產品SiZ700DT;該款元件的推出號稱可有助於減少DC-DC轉換器中高邊和低邊功率MOSFET所佔的空間。

SiZ700DT 採用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIR封裝,在一個緊密的元件內同時提供了低邊和高邊MOSFET,同時保持了低導通電阻和高最大電流的特性,比使用兩個分離元件的方案節省了很多電路板空間。PowerPAIR的厚度為0.75 mm,比厚度為1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封裝薄了28%。

Vishay SiZ700DT將高、低MOSFET整合在同一封裝;在PowerPAIR型封裝出現之前,工程師在設計用於筆記型電腦、VRM、電源模組、繪圖卡、伺服器、遊戲機的系統電源、POL、低電流DC-DC轉換器和同步降壓轉換器,以及工業系統中的DC-DC轉換器時,只能使用兩個獨立的元件來達到降低導通電阻和提高電流的目的。

例如,常規雙MOSFET的PowerPAK 1212-8的導通電阻大約是30mΩ,最大電流不到10A,因此不是可行的方案。單MOSFET的PowerPAK 1212-8的導通電阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低邊通道的MOSFET具有類似的導通電阻,在10V和4.5V電壓下的導通電阻分別為 5.8mΩ和6.6mΩ,在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為17.3A和13.9A。

除此以外,高邊通道的MOSFET在10V和4.5V電壓下的導通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ,在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為13.1A和10.5A。這些指標令設計者能夠用一個元件替代原先的兩個元件,節省成本和空間,包括兩個分離MOSFET間的空隙和標識面積。在一些更低電流和更低電壓的應用中,甚至可以用PowerPAIR元件替換兩個SO-8封裝的MOSFET,至少能夠節省三分之二的空間。

由於兩個MOSFET已經在PowerPAIR封裝內部連接上了,電路板的佈局會更加簡單,PCB走線的寄生電感也減少了,提高了系統效率。此外,SiZ700DT在接腳排列上了最佳化,這樣在一個典型的降壓轉換器上,輸入接腳被安排在一側,輸出接腳是在另外一側,進一步簡化了電路板佈局。元件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定。





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