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Atmel新款ARM9 MCU提供DDR2標準配置

上網時間: 2009年08月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ARM9  SAM9G45  MCU 

愛特梅爾(Atmel Corporation)宣佈推出400MHz ARM926嵌入式微控制器系列中的第一款產品SAM9G45,該元件支援第二代雙倍數據速率DRAM (DDR2),並已針對大樓自動化系統、資料登入器(data logger)、銷售終端機(POS)、警報系統和醫療設備等工業應用最佳化。

在週邊部份,ARM926包含晶片上實體層且與ECHI相容之高速USB、雙EBI、10/100乙太網路MAC、LCD和觸控螢幕控制器、可編程的1.8或3.3V I/O供電電壓,以及寬的資料頻寬架構。

愛特梅爾ARM產品總監Jacko Wilbrink指出:「大多數基於ARM9之嵌入式微處理器僅支援SDRAM記憶體,但問題在於記憶體供貨的情形,每每是由量大的PC市場所驅動,而SDRAM對於目前的PC而言,基本上已經是過時了。而且為了因應當前的經濟危機,許多記憶體供應商都已停止其SDRAM廠的運作,所以我們預計未來SDRAM的供應量將會逐漸減少,而客戶也因而也要面對相關的問題。相較之下,DDR2和DDR3能夠提供更高的記憶體密度、更好的性能、更低的成本和更低的功耗,充分符合市場發展的方向。」

Jacko Wilbrink進一步指出,「現今,DDR3所需要的最小外部匯流排為300MHz,這對於大多數嵌入式微控制器而言太高了,所以DDR2是設計人員的最佳選擇。我們認為DDR2將成為工業嵌入式市場的首選記憶體,因此才會積極主動地在基於ARM9之微控制器中整合DDR2。我們的客戶現在可以使用AT91SAM9G45和其他即將推出、具DDR2功能之微控制器,順利將其未來設計從SDRAM轉向DDR2。」

新元件帶有1.8或3.3V供電電壓的整合式功率管理。由於大多數基於ARM9的微控制器最初都是為供電電壓為1.8V的行動電話市場而開發的。為了適應工作電壓通常為3.3V的工業應用,它們需要使用昂貴的外部功率管理IC和電平轉換器。SAM9G45具有整合式功率管理功能、轉換速率控制I/O和可編程的1.8V或3.3V電平,採用焊球間距為0.8mm之封裝,可簡化工業控制設計,並降低成本。

SAM9G45使用時脈速率為400MHz的處理器,帶有支援133MHz之DDR2的雙並行外部匯流排界面(EBI),並整合帶有片上收發器的高速(480Mbps) EHCI相容之USB主機和設備埠、乙太網路MAC,用於MMC 4.3和SDIO/SDCard 2.0的兩個介面,以及一個帶有電阻性觸控螢幕介面的CMOS相機和音訊的LCD控制器,是需要大頻寬通訊、高密度資料儲存和現代化圖形使用者介面之嵌入式應用的理想平台。

AT91SAM9G45具有鏈結到處理器核心的記憶體管理單元的12層系統匯流排陣列,以及8個中央DMA通道;6個分別專用於視頻編碼器、LCD控制器、USB主機、USB設備、乙太網路MAC和影像感測器介面的高速DMA;21個周邊DMA (PDC)通道;雙EBI和片上分散式SRAM之小型模組,能確保以最小的處理器開銷實現無間斷的內部和外部資料流(data flow)。高資料速率道路架構(high data speedway architecture)使得SAM9G45能夠執行100Mpbs以上的資料傳送,以及實現平行計算密集資料處理的使用者介面。

在400MHz和1.0V核心電壓下,SAM9G45功耗通常低於300uW/MHz。在RTC、一個計時器和四個32位元暫存器工作的備援模式下,其耗電量約為8uA。

此外,AT91SAM9G45的480Mbps高速USB提供了便於理解、易於使用的載體,能夠處理多個系統之間和同一系統電路板之間的大量資料和互連。SAM9G45 USB主機與EHCI和OHCI標準完全相容,以確保經過驗證的USB主機驅動程式能夠直接移植到AT91SAM9G45之上。

SAM9G45已獲得家開發工具、作業系統和協定堆疊供應商支援,包括Linux distributions、Windows Embedded CE、Mentor Graphics、Fluffy Spider Technology、QNX、Micrium、IAR、Keil, Segger、Adeneo和TimeSys等。





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