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NJR發表設有旁通電路的低噪聲放大器

上網時間: 2009年08月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:低噪聲放大器  NJG1138HA8  W-CDMA 

新日本無線(NJR)近日開發出設有旁通電路的低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1138HA8,並開始發放樣品。該產品針對歐洲市場而設計,最適用於900MHz頻段W-CDMA模式手機。

NJG1138HA8是由低噪聲放大電路、旁通電路、控制用邏輯電路構成的低噪聲放大器。具有內建的高線性度、低消耗電流、ESD保護電路等特色,並且防止離基地台較近地區產生強磁場輸入所造成的放大器失真,設置了不經過放大電路的旁通模式(Low gain模式)。

 

NJG1138HA8透過使用高性能HJ FET製程,實現了高線性度(IIP3 0dBm typ. @VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗電流(2.3mA typ. @VCTL=1.8V);內建保護元件,以HBM(Human Body Model)方式,實現了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓。

此外,該元件並具備低控制電壓、USB6-A8(1.0mmx1.2mmx0.38mm)的超輕薄封裝,以及符合無鉛無鹵化物標準等特色。





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