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Cypress推首款65nm 144Mb SRAM

上網時間: 2009年10月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SRAM  DDR  記憶體 

Cypress Semiconductor推出首款單片式(monolithic) SRAM,密度達144Mb,現有QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+等系列,採用聯電的65奈米製程技術,時脈速度達550MHz,耗電量僅有90nm SRAM的一半。

其中,36位元I/O的QDRII+元件可提供80Gbps總資料傳輸率。這些元件適合支援各種網路應用,包括網際網路核心與邊界路由器、固定與模組化乙太網路交換器、3G基地台與安全路由器,並能提升包括醫療成像與軍事訊號處理系統的效能。

新款元件與90奈米SRAM的接腳相容,在維持相同的電路板佈線的前提下,能網路客戶能提升其方案效能,並可讓定位表或封包緩衝區的容量倍增。此外,Cypress的65奈米QDR與DDR SRAM與90奈米SRAM相比,可降低最多達50%的待機與動態電流功耗,達成新一波的「環保」網路基礎建設應用。

QDRII+與DDRII+元件擁有嵌入於晶粒內的終端電阻(ODT),由於無需使用外部終端電阻,故能提高訊號完整性、降低系統成本,以及節省電路板空間。65奈米元件採用相位鎖定迴路(PLL)取代延遲鎖定迴路(DLL),可加寬35%的Data valid window,以簡化機板層級的時序收斂,並可提高與第三方廠商處理器之相容性。





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