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諾發新硬式蝕刻光罩薄膜協助改善7%良率

上網時間: 2009年12月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:PECVD  ASHABLE  光罩  微影  AHM 

諾發系統(Novellus)宣佈開發出一系列ASHABLE硬式蝕刻光罩(AHM)薄膜,可達到比目前業界使用的非晶碳薄膜高出25%的蝕刻選擇性。這種高度選擇性和透明(HST)的AHM薄膜,搭配諾發的專利晶片洗邊技術(EBR),已證明可改善7%以上的晶片良率

Novellus表示,不論是邏輯或記憶體元件,在32奈米以下的設計規則都需要較高的高寬比(AR)圖案。在這些先進的幾何形狀,電漿增強式化學氣相沉積(PECVD)的非晶碳薄膜,比傳統的光阻更具較高的蝕刻選擇性和優越的機械性能。

此外,這種性質的薄膜,可更準確地將光阻圖案轉移到基板上,不會有圖案倒塌或線彎曲的壞處。這些非晶碳薄膜還可用於雙重圖形化製程(double patterning),不僅增加成本效益,亦可完成高密度圖案化製程。

以傳統550C的非晶質薄膜和HST AHM薄膜的蝕刻選擇性做比較,雖然提高沉積溫度可以用來增加選擇性,但會有負面影響降低薄膜的透明度。比較不透明的薄膜在黃光對準的步驟上會較困難,諾發的AHM薄膜不會犧牲透明度,並且可維持大的高寬比所需的選擇性。

此外,諾發的低腐蝕率的薄膜可以有較佳的關鍵尺寸均勻性(CDU),有助於高密度、大高寬比的圖案化製程,是量率改善的關鍵。

AHM在晶圓邊緣的厚度會影響到那個區域晶粒的量率,所以需要一個狹窄的過渡帶在完整膜厚到裸晶片之間(也就是完全的AHM去除)。諾發的VECTOR PECVD平台具有一個整合的EBR模組,可提供完整1毫米的AHM薄膜去除區域。這種尖銳的邊緣過渡區,可確保在邊緣的晶粒有足夠的AHM厚度,可控制2毫米內的CD均勻性控制。

EBR模組是和主機台整合在一起,所以不需要額外的洗邊用機台。而且由於AHM模組和主沈積反應室分開,相較於其他在同一反應室處理的技術可有較佳的製程與微粒控制。

除了提高晶片率,諾發HST AHM薄膜在大量生產線上也提供了更大的製程調整空間。在高溫下沈積的傳統非晶碳薄膜容易以很快的速度吸水,但是Novellus VECTOR PECVD平台的多站連續沉積(MSSD)設計有較多的薄膜介面阻擋水氣,具有極佳檔水性。





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