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TSMC推出LED驅動積體電路製程

上網時間: 2009年12月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:LED  BCD  製程  CyberShuttle  背光 

台積電(TSMC)新推出模組化BCD (Bipolar, CMOS DMOS)製程,將可為客戶生產高電壓之整合LED驅動積體電路產品。新製程提供12V~60V的工作電壓範圍,可支援多種LED的應用,包括:LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車用照明等。

新的製程橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代,並有數個數位核心模組可供選擇,適合不同的數位控制電路閘密度。此外,也提供CyberShuttle共乘試製服務,支援0.25微米與0.18微米製程的初步功能驗證。

藉著新製程所提供的多項整合特色,可減少系統產品的物料清單。不只強固的高電壓DMOS提供MOSFET開關整合,降低零組件數目外,其他可被整合的零組件還包括:高電壓雙載子電晶體、高電壓/高精密電容器、高電阻多晶矽齊納二極體(Zener diode)等,也可降低外部零組件數,並顯著地縮小電路板的面積。

DMOS製程支援專業積體電路製造中領先的汲極至源極導通電阻(Rdson)效能(例如:對一特定的60V NLDMOS元件,當BV>80V時,其Rdson為72mohm-mm2)以及其高電流驅動能力,可藉由元件尺寸的最佳化來提昇功率效能;強固的安全操作區域(SOA)也能讓功率開關與驅動電路更為理想;更多詳細的特性分析亦可作為有用的參考,使IC設計能達到最佳的晶片尺寸及設計預算。

在COMS方面,5V工作電壓能支援類比脈衝寬度調變器(Pulse Width Modulation controller)的設計,而2.5伏特及1.8伏特的邏輯核心,則通用於較高層次的數位整合。除此之外,與邏輯線路相容、單次寫入及多次寫入均可的記憶體選項,亦可提供強化的數位程式設計使用。

台積電工業電子開發處劉信生處長指出,就驅動元件整合來說,新的LED驅動IC之BCD製程是非常尖端的技術,其相關的製程設計套件(PDKs)強調高度精準的SPICE模型,提供單晶片設計更多的方便性。除此之外,Mismatching Model可協助提昇目前在多通道LED驅動器設計上的精準度。





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