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愛特梅爾發表基於Cortex-M3的SAM3S新款MCU

上網時間: 2010年01月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Cortex-M3  SAM3S  SAM7S 

愛特梅爾公司(Atmel Corp.)宣佈推出SAM3S微控制器系列產品,包括18種基於Cortex-M3快閃記憶體控制器,可廣泛地應用在消費性產品、工業控制、儀錶、玩具、醫療、測試和測量、802.15.4無線聯網、PC、行動電話和遊戲週邊設備等。

這些元件能夠改善阻抗匹配、簡化PCB設計,並可在1MHz工作頻率下節省50%的功率,而功耗僅2.3mW。在64MHz的最高工作頻率下,該元件的功耗為1.45mW/MHz。此外,沿用過去以ARM7TDMI為基礎的SAM7S系列微控制器技術,SAM7S客戶仍可保留原有的硬體和軟體投資,將設計移植到性能提升50%而且功能豐富的微控制器上。

愛特梅爾快閃記憶體微控制器系列元件SAM3S以高性能的32位元ARM Cortex-M3 RISC處理器為基礎,可提供系統控制、感測器介面、64k至256 kByte快閃記憶體選項、一個可選外部平行匯流排介面、連接能力和用戶介面支援等處理能力和功能。

SAM3S元件的其他功能還包括晶片中內建的訊號終止裝置(ODT)、USB設備、SDIO、平行PIO訊號擷取、12位元ADC和DAC、4個UART、雙12C、12S、計時器、晶片ID,以及功率和重置管理。SAM3S的電源電壓範圍為1.62V至3.6V,提供從48腳QFP和QFN到100腳QFP和BGA的封裝選擇。

晶片中內建的訊號終止裝置(ODT)簡化PCB的設計──ODT將終止電阻整合在半導體晶片內,而不是在印刷線路板上;輸出端並整合多個典型值為35歐姆的電阻,能夠降低材料清單(BOM)成本、節省空間,並為PCB設計帶來更大的便利性。此外,SAM3U元件在頻率為10MHz工作模式下的動態功降到最低,預計可將在1MHz下的功耗降低50%。

SAM3S可在PIO和DMA上支援平行資料擷取模式的ARM微控制器。在PIO上的並行資料擷取模式與外部匯流排介面相輔相成,收集來自與標準記憶體讀取協定不相容的外部設備(如低成本影像感測器)的資料。讀取控制訊號和時脈均為用戶可程式的,藉由使用DAM卸載CPU任務,將資料傳輸給記憶體。

SAM3S能夠顯著地提升安全性和保全功能。記憶體保護單元(MPU)能夠確保程式碼的安全,並保護多應用/任務的執行。具有DMA的硬體CRC則在後台檢查記憶體的完整性,並在資料損壞時觸發中斷。另外,ECC可檢測並糾正嵌入式快閃記憶體的單一位元故障(single-bit failure),一個128位元獨有的ID和高度加密的(scrambled)外部匯流排介面可確保外部軟體的機密性,而安全位元則可確保內部軟體的機密性。

SAM3S和SAM7S微處理器接腳相容,可作為ARM快閃記憶體微控制器系列SAM7S和SAM7SE的理想Cortex-M3升級途徑,SAM3S快閃記憶體微控制器採用的Cortex-M3核心在1.8V和85℃下能以64MHz的最大時脈速率執行,其原始性能較SAM7S系列提升了50%。SAM3S的64腳版本與SAM7S接腳相容,可讓用戶在不改變硬體的情況下提升性能,以保護既有的投資。

Cortex-M3核心的全新指令集架構與先前ARM7和ARM9核心有別,其32位元ARM指令集已經被可變長度的Thumb-2替代,可提供相同的性能,並最佳化程式碼密度達26%。愛特梅爾基於ARM7、ARM9和Cortex-M3之SAM3元件具有相同的硬體抽象層和統一的編程模型,以及公用的週邊設備,提供了元件之間近乎重編譯後即能執行的程式碼可攜性。

SAM3S在1MSPS的12位元類比數位轉換器(ADC)上整合多達16個通道,同時支援單端和差分輸入。可程式增益放大器擴大了小訊號的範圍,而這些訊號可從全量程的12位元ADC解析度受益,可放大達到四倍。SAM3S還具有一個2通道的12位元數位類比轉換器、一個類比比較器和一個溫度感測器,並整合了一個高速SDIO/SD/MMC介面,可以連接到標準的多媒體卡。

愛特梅爾的SAM3S快閃記憶體微控制器獲得第三方供應商在開發工具、即時作業系統(RTOS)、中介韌體(middleware)產品和技術服務方面的支援,包括IAR、Keil、Micrium和Segger等公司,而且數量還在快速地增加中。晶片上ROM在快閃記憶體擦除後自動重啟動(automatic reboot)的功能,也為系統內生產編程帶來了便利。此外,愛特梅爾提供具有暫存器描述和所有週邊之設備驅動程式的套裝軟體,以及簡化微控制器使用的專案範例。

SAM3S具有64KB、128KB和256KBe三種快閃記憶體密度,並提供48腳、64腳和100腳的QFP封裝,48腳和64腳的QFN封裝,以及100腳、0.8mm間距的BGA封裝。最先提供的樣品是256KB快閃記憶體密度的64腳和100腳QFP封裝元件,而其他封裝的樣品隨後將於2010年第一季供應。SAM3S預計將於2010年第二季開始大量生產。





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