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ISSCC登場 專家預測後CMOS時代接班技術

上網時間: 2010年02月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:固態電路會議  後CMOS時代  接班技術 

一年一度的國際固態電路會議(International Solid State Circuit Conference,ISSCC)日前(2月8日)在美國舊金山登場,一位在會議上發表演說的學界專家表示,晶片微縮應可在接下來的15年內持續進展,他並預測了「後CMOS時代」的接班技術

喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)旗下Joseph M. Pettit微電子研究中心教授James Meindl在ISSCC的專題演說中表示:「在接下來的15年,我們會持續用力微縮晶片;而在矽晶片技術之外,奈米電子領域的革命性發展也許會以石墨烯(graphene)為中心演進。」

他預測,處理器矽製程可能會微縮至7.9奈米節點,時程在2024年;而在那之前或之後,石墨烯可望實現未來的兆級運算(terascale computing)。

為何是石墨烯從自旋電子(spintronics)、分子電子(molecular electronics)等技術中脫穎而出,成為後CMOS時代結束後最有希望的接班技術?以下是Meindl所提供的六個理由?

1. 石墨烯的機械性強度-重量比(strength-to-weight ratio),超越其他所有已知的材料;

2. 其載體遷移率(carrier mobility)超過200,000cm2/Vs;

3. 被稱為「迪拉克費米子(Dirac fermions)」的零有效質量載體與光子(photon)類似的,其速率比光速小三百倍,在微米等級的距離範圍內無散射(scattering);

4. 其電流傳導密度是銅的一千倍,無電子遷移(electromigration);

5. 在室溫下的熱傳導性曾達到超過5,000W/mK的記錄;

6. 能做為場效應電晶體(FET)的源/通道汲極,也能做為互連(interconnect)。

不久前,美國賓州大學的研究人員才宣佈製造出4吋(100mm)石墨烯晶圓片,預告了碳IC時代不遠的訊息(參考該報導)。

(參考原文: ISSCC: Expert picks winner for post-CMOS era,by Mark LaPedus)





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