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三星開始量產40nm 4Gb DDR3記憶體

上網時間: 2010年03月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DDR3  記憶體  節能 

三星電子(Samsung)宣佈,已開始量產運用40奈米級製程技術完成的低功耗(節能)4 gigabit (Gb) DDR3產品。據表示,新的高密度記憶體將為資料中心(data center)、伺服器系統與高階筆記型電腦顯著節著功率。

三星的40奈米級技術節能DDR3是為了伺服器產品而進行最佳化,以提昇其能源效率的等級,得以遵循、甚至超越新的能源之星(Energy Star)功耗規定。

隨著4Gb DDR3開始量產,三星計畫將90%以上的DDR DRAM改由40奈米級製程技術生產,以提供三星客戶當今最低成本的DRAM元件,同時更鞏固三星的市場領先地位。

三星在去年7月首度推出40奈米級技術DDR3,而今,“過了七個多月後,我們就推出超低功耗「節能記憶體」(Green Memory),這個4Gb DDR3產品的密度是前一代的兩倍。在16 gigabyte (GB)的模組中,使用4Gb的模組可省下35%的功耗,以滿足客戶達到更高能源效率的設計需求,”三星電子記憶體行銷部門執行副總裁Dong-Soo Jun表示。

4Gb DDR3的量產可提高伺服器使用記憶體的總量至每一模組32GB,是基於2Gb元件的模組密度最高值的兩倍。

如今,伺服器在一顆CPU狀態下可裝設平均6個RDIMM插槽,可容納高達96GB DRAM,功耗會因為元件特色而有所不同。一個基於60奈米級技術的1Gb DDR2模組會消耗210W,而基於40奈米級技術的2Gb DDR3模組可節省約75%功耗,只消耗55W,然而,全新的40奈米級技術4Gb DDR3模組則可省下高達83%功耗,僅僅消耗36W。隨著對於資料中心能源成本的日趨重視,這些記憶體省下的功率等同於減少伺服器整體系統10%的功耗。

透過應用三星的40奈米技術4Gb DDR3模組到現存的伺服器系統,DRAM密度可增加至少兩倍,系統使用壽命可被顯著延長並進而減少新系統的投資。

此4Gb DDR3可將SoDIMM的密度提昇至8GB,這促使一個系統層級密度在2個插槽狀態下可達到16GB,在4個插槽狀態下可達到32GB,得以滿足對具備先進顯示功能之高效能筆記型電腦的市場需求。

全新的4Gb DDR3可同時支援1.5V與1.35V規格,現在已供貨的記憶體模組包含16GB與32GB RDIMM,以及具備每秒1.6Gb效能的8GB SoDIMM記憶體模組。





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