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恆憶針對嵌入式應用推出串列式快閃記憶體方案

上網時間: 2010年03月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:快閃記憶體  Fort N25Q  串列 

恆憶(Numonyx)宣佈推出首款65奈米多工輸入輸出串列快閃記憶體(serial flash memory)系列產品Fort N25Q,進一步擴大恆憶強大的記憶體產品陣容,並可滿足嵌入式市場的嚴格編碼與資料儲存的可靠性要求。

新的Numonyx Fort N25Q系列串列式快閃記憶體可為目前電腦、機上盒和通訊設備的主流嵌入式應用提供最高的讀寫效能、設計靈活性和應用可靠性。

Numonyx Fort N25Q系列是不斷擴大的Fort串列式週邊介面(SPI)快閃記憶體系列產品的最新產品,提供客戶多種不同的讀寫效能和儲存容量範圍。恆憶這次推出了兩款128Mb產品,電源電壓分別為3V和1.8V,均採用先進的65奈米製程,為客戶提供具有成本效益的產品和連續穩定的架構。

透過首次在業界導入非揮發性配置暫存器概念,恆憶新產品能夠提高串列式快閃記憶體的設計靈活性和適用性。透過支援多個最適合應用的參數選項,這項新功能可最佳化快閃記憶體配置,而且在系統關閉電源後還能保存快閃記憶體設置。

因為無需在每次上電週期後對快閃記憶體進行重置作業,這種非揮發性配置功能可以大幅提升晶片上執行(XIP)儲存系統的應用靈活性,透過減少時序週期次數,還能提高快閃記憶體的讀寫效能。採用Fort N25Q系列的產品設計還能減少系統DRAM,因為處理器可直接從快閃記憶體執行編碼,因而能夠為客戶節約成本和電路板空間。

N25Q串列式快閃記憶體在同一裝置上支援多位元輸入輸出SPI協定(一位元、二位和四位元),能夠為客戶提供最高的設計靈活性。在全部電源電壓範圍內,恆憶大幅提高了讀寫效能,時序速度從75MHz提高到108MHz甚至四倍以上,在四位元輸入輸出模式下時序速度更快,達到432MHz。不論是3V還是1.8V的Fort N25Q都非常適合各種應用,包括電池供電的設備,如手持設備或消費電子產品。

長期的技術支援和連續的產品架構對於嵌入式客戶極為重要。65奈米的N25Q系列提供了客戶一個通用架構藍圖,並為現有客戶提供回溯相容(backward-compatible)的解決方案,即N25Q系列相容於恆憶的其他系列串列式快閃記憶體產品,包括Numonyx Fort M25P和M25PX系列串列式快閃記憶體。3V和1.8V的Fort N25Q 128Mb串列式快閃記憶體目前已開始投產。





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