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SiGe推出首款矽基2GHz大功率WLAN PA

上網時間: 2010年03月12日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:WLAN  SE2576L  功率放大器 

SiGe半導體公司(SiGe Semiconductor)新推出一款2GHz無線LAN功率放大器(PA)模組。全新IEEE802.11bgn元件SE2576L的發射功率為26dBm,適合需要大射頻(RF)發射功率的網路應用,如家庭劇院或資料傳輸、企業和戶外網路,以及公共網路熱點,能夠提供完整的覆蓋範圍和更高的鏈路預算,實現更快速、更高效率的資料傳輸。

大功率WLAN連接性面對的挑戰是RFPA。當PA在較高RF功率級下工作一段時間後,PA本身的溫度往往會升高。隨著PA溫度的上升,它保持所需RF功率級的能力便會下降,這又促使PA控制迴路提高RF功率,從而導致PA工作溫度進一步上升。PA溫度上升除了會降低RF功率之外,還會降低線性度性能,最終破壞傳輸資料,並在WiFi頻率通道附近產生干擾。

SE2576L採用矽鍺製程製造,該技術與標準矽製程基本相同,熱導性卻是砷化鎵(GaAs)元件的三倍。SE2576L整合了輸入匹配電路和外部輸出匹配電路,可以針對5V、26dBm的工作條件調節負載線,從而幫助SiGe半導體的客戶簡化設計、加快上市速度,並提高產品良率。

SE2576L內置有採用溫度補償的對負載不敏感的功率檢測器,動態範圍為20dB,在天線端3:1失配條件下,變化小於1.2dB。SE2576L綜合了功率檢測器功能和矽鍺技術固有散熱優勢,可在極端溫度下保持穩定的性能,適合需要特別注意自身變熱問題的大功率應用。新型WLAN PA還帶有數位啟動控制功能,並整合了一個參考電壓發生器,其典型功率斜坡上升/下降時間為0.5μs。

SE2576L的占位面積和應用板設計與SiGe半導體2GHz大功率WLAN PA系列中的其他元件相同,使得終端用戶可以共用通用電路板設計,並為每款產品選擇最佳的PA。

SE2576L採用符合RoHS指令的無鹵素、小型的16接腳3mm x 3mm x 0.9mm QFN封裝。這種低側高封裝非常易於整合進WLAN模組中。





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