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力旺、MagnaChip合作建構0.11um高壓NVM製程

上網時間: 2010年03月12日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:記憶體  LCD  電源管理  Neobit  LED 

力旺電子(eMemory)與韓國美格納(MagnaChip)宣佈,由力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體(NVM)技術,已建構於美格納0.11um高壓先進製程平台,並將於2010年Q1進入量產,屆時將能為液晶顯示器驅動晶片(LCD Driver IC)與電源管理晶片客戶提供更高效率、低成本的嵌入式非揮發性記憶體技術。

此次雙方合作建構之0.11um高壓NVM製程平台可滿足客戶對先進高壓製程上非揮發性記憶體的需求,提供穩定的記憶線路特性,降低客戶導入新產品設計風險。

具備NVM之高壓製程主要應用於液晶顯示器驅動晶片與電源管理晶片產品,例如中小尺寸TFT-LCD面板、各類型行動裝置,以及LED照明應用等,皆能受惠於嵌入式非揮發性記憶體技術而大幅提高生產彈性,縮短產品上市時程。目前力旺電子與美格納合作之技術平台涵括0.35um、0.18um、0.15um、0.13um等邏輯、類比與高壓製程,並已獲得台灣、歐美、韓國與中國地區等地客戶採用。

力旺的Neobit嵌入式非揮發性記憶體技術結構簡單,可直接建構於現有製程,無須增加光罩成本,且不需要變更元件特性,就能直接進行設計。Neobit的特性完全符合美格納致力於增加產品性能與生產力的規格需求,因此,近年來雙方合作日益密切。

未來力旺電子與美格納合作藍圖除垂直研發更先進製程,同步也將橫向拓展不同類型製程世代,如不同電壓之高壓製程等,以期提供更完整、更多樣化的技術平台選擇,讓更多利基型客戶皆能廣泛採用雙方合作之嵌入式非揮發性記憶體製程解決方案,大幅提升產品競爭力。





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