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NXP推出八款低VCEsat BISS系列電晶體

上網時間: 2010年03月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:VCEsat  電晶體  BISS-4  導通電阻 

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣佈推出第四代低VCEsat BISS (Breakthrough in Small Signal)電晶體系列的前八款產品。該產品系列有兩種最佳化的選擇:超低VCEsat電晶體及高速開關電晶體。其電壓範圍為20V到60V,採用小尺寸SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1mm)。

這些電晶體被稱為突破性小訊號(BISS)電晶體,它們為減少導通狀態電阻(on-State-Resistance)建立新的標準,並使開關時間降低到絕對最小值。超低VCEsat系列下的電晶體能在1A時實現50mV的超低飽和電壓。四種新的高速開關電晶體使開關和儲存時間降低至125ns。新型BISS-4產品顯示雙極電晶體技術是開關應用的最佳選擇,能達到高性能和降低開關損耗。

新款BISS-4電晶體的特色為高電路效率、低功率損耗,相較於相同封裝的標準電晶體則能產生較低的熱量。這些新產品的DC集電極(collector)電流為4.3A(最高值為ICM 8A),採用小型SOT23封裝,其性能是採用SOT23的上一代低VCEsat電晶體的兩倍。新款BISS-4電晶體是為大量消費者、通訊、運算和汽車應用中的負載開關、交換式電源供應器(SMPS)和電源管理功能所設計。

這八種新型電晶體皆符合AEC-Q101標準,其封裝不含鹵素和氧化銻,並符合UL 94V-0阻燃標準(Non-Flammability Classification)和RoHS標準。在2010年第一季末即將推出SMD封裝的其它型號SOT89、SOT223和SO-8,將擴展低VCEsat (BISS)電晶體的產品線。





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