Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

Novellus與IBM宣佈成立TSV製程共同研究專案

上網時間: 2010年04月02日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Novellus  IBM  共同研究專案 

諾發系統(Novellus)日前宣佈與IBM成立共同研究專案,將利用諾發之電鍍銅SABRE與電漿輔助化學氣相沉積VECTOR系統,設計出可製造3-D半導體銅矽穿孔(TSV)之製程,該新製程將可應用於小體積與低耗電的3-D整合產品。

使用TSV技術將半導體工業推往3-D整合是一股強烈的趨勢,將多種元件堆疊成類似三明治結構與用銅孔連接所有導電層,此技術增加了電路密度並使最終元件變小,透過每個元件間較短的連接長度,進而增加元件速度與較低的電力消耗,堆疊的結構也允許多種特定功能元件的組合,包含利用非同質性的整合,以符合現今不斷縮小之電子產品的需求,如手機、PDA及筆記型電腦。

然而,對於整合TSV到半導體製程,以至於新結構需同時具有高可靠度與低製造成本上,仍面臨數個重要挑戰。其一是於極深的高長寬比結構之無洞填充時,降低過多的銅沉積或承載,承載厚度會隨著TSV的形態而改變;另一個挑戰則需要低溫沉積介電薄膜的能力,如此一來,在TSV的製造流程中,晶片上熱預算才不至於超過標準。

諾發系統已發展出一套特殊高效的SABRE Electrofill@ TSV 製程,該製程使用享有專利權的設備,以及電鍍液達到最低過量銅之無洞填充,過多銅可降低75%,容許使用傳統的化學機械研磨(CMP)代替客製研磨泥漿;此外,SABRE的最佳化TSV電鍍液提供較短的電鍍,因而能有較高的生產率。

為了解決低溫介電膜的需求,諾發系統的VECTOR平台搭配著獨創的多站連續沉積結構(MSSD),使得具有穩定且高良率的TSV製程,在崩潰電壓、漏電行為及晶片間的再現能力,與200度以下介電膜沉積的要求上成為可能。SABRE與VECTOR的應用簡化了TSV的製造流程,並開創了低成本、高效能3-D晶片的廣泛應用,諾發系統與IBM將一起合作評估與研發製程應用於IBM的3-D整合專案。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - Novellus與IBM宣佈成立TSV製程共同研究...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首