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英飛凌推出ThinPAK 8x8無鉛SMD高壓功率晶體

上網時間: 2010年05月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ThinPAK  電晶體  MOSFET  PowerFLAT  CoolMOS 

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣佈推出新型ThinPAK 8x8無鉛SMD封裝的高壓MOSFET。此高度1mm的新型表面黏著封裝,將TO-220業界標準晶片尺寸置於面積僅8x8mm的無鉛外殼內,並具備裸露的金屬汲極接墊,可有效排除內部產生的高溫。

新型封裝面積僅有64mm2(小於D2PAK的150mm2),且高度僅1mm(低於D2PAK的4.4mm),不但尺寸極小,又具備標準的低寄生電感,為設計人員提供一個全新且有效縮小系統方案尺寸的功率密度設計。

英飛凌將先針對600V CoolMOS元件推出三種封裝方式的版本:199 mOhm(IPL60R199CP)、299 mOhm(IPL60R299CP)及385 mOhm (IPL60R385CP)。目前已推出ThinPAK 8x8封裝的驗證樣品,量產可於標準前置時間內完成。

其精巧的體積可讓設計人員設計出更輕薄的電源供應器外殼,滿足現今市場對輕巧時尚新產品的需求。目前已經有兩家公司採用此新標準:英飛凌及意法半導體將推出採用此創新封裝方式的MOSFET,分別命名為ThinPAK 8x8(英飛凌)及PowerFLAT 8x8 HV(意法半導體),為顧客提供高品質的產品選擇。

ThinPAK 8x8封裝的特性為:來源電感極低,僅2nH(D2PAK為6nH)、獨立的驅動器來源連接(純閘信號)以及與D2PAK類似的散熱效能。因此,ThinPAK 8x8能夠支援更快速且更有效的Power MOSFET轉換,並更輕鬆地處理晶體切換及EMI問題。





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