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NXP將在年底前推出50種以上矽鍺碳技術產品

上網時間: 2010年05月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:矽鍺碳  恩智浦  SiGe:C  高頻無線電  QUBIC4製程 

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日針對高頻無線電應用,推出一系列採用最新矽鍺(SiGe)製程技術開發的新產品,目的在滿足產業對更強大、高經濟效益和高整合矽技術日益增加的需求。

恩智浦將在2010年底前推出超過50種採用矽鍺碳(簡稱SiGe:C) 技術的產品。恩智浦QUBiC4 SiGe:C製程可提供高功率增益(gain) 和絕佳的動態範圍(dynamic range),專為滿足現實生活中無線、寬頻通訊、網路和多媒體市場領域的高頻應用需求而設計。

恩智浦目前已有十多種SiGe產品上市,採用其QUBIC4技術開發並銷售的RF產品已超過兩千五百萬件。此銷售業績顯示恩智浦QUBIC4製程技術已成熟,及產業對SiGe:C製程實現砷化鎵(GaAs) 技術性能的認同度。

恩智浦創新的高性能SiGe:C QUBiC4製程可讓無線設備製造商增加更多設備功能,同時更節省空間、更節約成本、帶來更可靠的性能與製造優勢。QUBiC4技術加快從GaAs技術至矽晶片技術的轉移速度,帶來最出色的低雜訊性能和IP可用性。

恩智浦提供三種不同的QUBiC4技術:QUBiC4+ 是針對小於5GHz應用的矽製程,例如中功率放大器;QUBiC4X約於6年前推出,是一種0.25?m SiGe:C 製程,常用於高達30GHz和極低雜訊應用,例如GPS;最新推出的0.25?m QUBiC4Xi SiGe:C製程,特徵頻率(Ft)超過200GHz,特別適合30GHz以上,以及要求極低雜訊係數的應用,例如VSAT和雷達。

恩智浦的QUBiC4 SiGe:C技術擁有量產所需的完善IP和先進的內部製造能力,可提高整體RF性能、降低元件成本,同時提供比砷化鎵技術更高和更靈活的性能。恩智浦擁有超過四十五年在RF模組設計和封裝方面的豐富經驗,使恩智浦的QUBiC4技術可將砷化鎵技術的高性能與矽製程的可靠度完全整合。

隨著高速數位資料傳輸和無線通訊技術的持續發展,恩智浦的QUBiC4技術將推動傳統砷化鎵技術解決方案不斷向前發展,實現更低成本、更高整合度和更多功能,同時滿足低功耗需求。

以QUBiC4技術為基礎的產品涵蓋行動平台、個人導航設備、主動式電子掃描陣列(active electronically-scanned array,AESA) 雷達、衛星DBS/-VSAT、電子計量設備、軟體無線電(SDR) 技術、基地台、點對點無線連接及無線區域網路(WLAN) 等領域,皆是高頻和高整合度相當重要的領域。終端用戶的獲益於在手機變得更小巧、更輕便的同時,仍能不斷地增加更多功能。

2010年底前將有五十多種採用 SiGe:C 製程的恩智浦產品上市。其中十多種產品已上市,包括GPS低雜訊放大器,例如BGU7005;中等功率放大器,例如BGA7124 ;及振盪器(LO)發生器,例如TFF1003HN。

其他四十種新產品將在5月和今年陸續發佈,包括全新的第6代和第7代寬頻電晶體、低雜訊放大器、中等功率放大器、可變增益放大器和振盪器發生器等。





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