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飛思卡爾推出50V射頻LDMOS功率電晶體

上網時間: 2010年05月31日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:射頻  RF  場效電晶體  FET  MRFE6VP6300H 

飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)推出一款作業範圍為1.8至600 MHz的射頻(RF) LDMOS功率電晶體 MRFE6VP6300H。這款全新的場效電晶體(FET)據稱是首款50伏特LDMOS電晶體,提供滿載輸出功率300瓦連續波(CW)至電壓駐波比(VSWR)為65:1的負載。

所有固態RF功率放大器,可在RF功率電晶體產生的最大功率全數送達天線時,產生最有效率的運作。在理想的條件下,這將產生1:1的VSWR值,所有生成的額定功率到達負載,通過傳輸線後全未反射回至放大器。VSWR在大多數應用中很少超過2.5:1,大多數RF功率電晶體(無論搭載技術為何),都可以處理5:1或10:1的VSWR值。

然而,RF功率功率放大器不論用來觸發二氧化碳雷射以及電漿產生器,或是在MRI系統產生電磁場,都會遇到幾乎所有產生的額定功率反射回至功率放大器的狀況。這些極端的條件對於多數RF功率電晶體都是一項挑戰。

飛思卡爾全新主要設計用來滿足這些應用,並可產生達300瓦的CW輸出功率,最高VSWR可達65:1。全新的MRFE6VP6300H LDMOS FET場效電晶體(FET)主要針對會產生潛在破壞性阻抗失配(impedance mismatch)狀況的應用,如二氧化碳雷射、電漿產生器和核磁共振造影(MRI)掃描器等應用,並已進行最佳化,使其更適用於這些應用。

MRFE6VP6300H可使用在推拉式(push-pull)或單端組態設定,並可安裝於緊密的氣腔陶瓷NI780-4封裝中。在130 MHz時,此裝置產生300瓦的CW輸出功率,25分貝的增益和80%效率。MRFE6VP6300H也包含創新的靜電放電(ESD)保護,使其成為一台Class III等級的設備,同時賦予充裕的閘源(gate-source)電壓範圍(-6伏特到+10伏特),可在高效率模式(如Class C)下作業時增強性能。

MRFE6VP6300H已經送樣,預計在2010年第四季進行全面生產。參考設計方法和其他支援工具也同步推出。





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