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結合HighQ性能和小尺寸 安森美推IPD2製程技術

上網時間: 2010年06月03日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IPD2  HighQ  製程  射頻  系統級封裝 

安森美半導體(ON Semiconductor)推出新的整合被動元件(IPD)製程技術——IPD2。這項新製程是安森美增強既有 HighQ 矽銅(copper on silicon)的IPD 技術,第二層銅層厚度僅為5μm,增強了電感性能並提升靈活性,適用於可攜式電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。

HighQ IPD2製程採用8吋晶圓技術,典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器,用於最新可攜式和無線應用。以IPD2為基礎的設計能為電路設計人員提供多種優勢,如降低成本、減小厚度、小占位面積,以及更高性能(等同於延長電池使用時間)。

安森美表示,其IPD2製程技術可提供全功能設計工具和設計支援,以及快速的原型製造能力,幫助潛在用戶快速和高性價比地評估,不管他們複雜度較低的分立或整合印刷電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案,或是以更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)為基礎的IPD是否適合轉換至IPD2製程。





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