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ROHM新款SiC-BCD元件回復損耗降低2/3

上網時間: 2010年06月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SiC  SBD  SCS110A  電動車  油電混合車 

ROHM 新推出一款低損耗、高耐壓的碳化矽 (SiC) 蕭特基二極體(SBD)── SCS110A ,與其他的 SiC-SBD 元件相比, SCS110A 顯著改善了順向電壓及導通阻抗,適合用於電動車 (EV)/油電混合車(HEV)及空調等需要進行功率轉換的變換器(Inverter)、轉換器(Converter)和功率因素校正(PFC)電路等領域。

SiC的能隙約為矽的3倍,絕緣破壞電場約10倍,熱傳導率約3倍,特別適合電源元件應用及高溫操作。

SCS110A 系列的反向回復時間(trr)僅15ns,與一般矽材質快速回復二極體(35nsec∼50nsec)相比,大幅縮短了回復時間,其回復時的損耗也降到僅1/3。當使用在Inverter、Converter、PFC電路時,損耗大幅降低也能減少發熱量。與矽材質的FRD相比,特性隨溫度變化極少,能使用較小的散熱片。與之前的SiC製蕭特基二極體比較,具有trr特性改善、晶片尺寸縮小15%等優勢。

SCS110A的晶圓在德國埃朗根市 SiCrystal AG製造,前段製程在日本福岡的ROHM APOLO DEVICE公司進行,而後段製程則在泰國的ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.進行。

ROHM表示,半導體元件造成功率轉換時的損耗已逐漸形成問題,從環保觀點來看,較矽材料更低損耗的SiC功率元件極具發展潛力。為確保高品質的SiC晶圓供應,ROHM併購了德國SiCrystal公司,完成了SiC元件的一貫化製造體制。

在量產化方面,蕭特基接觸屏障的均勻性、不需高溫處理的高阻抗防護環(Guard Ring)層成形等曾經是技術瓶頸的問題也獲得解決,順利完成社內一貫化生產體制。

和之前量產的SiC蕭特基二極體相比,藉由降低操作時的阻抗值,其順向電壓也隨之降低(VF=1.5V(標準值)10A時),並具有較好的溫度特性。





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