Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 功率技術/新能源
 
 
功率技術/新能源  

英飛凌針對汽車應用推出低導通電阻的30V MOSFET

上網時間: 2010年08月05日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:導通電阻  MOSFET  OptiMOS-T2  IPB180N03S4L-H0  溝槽 

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣佈針對高電流汽車應用推出具備最低導通電阻(RDS(on))的30V場效電晶體(MOSFET)。全新 OptiMOS-T2 30V MOSFET 具備 N 通道(signal N-channel)、180A 汲極電流,且 10V時的導通電阻值僅0.9mΩ。

OptiMOS-T2 產品以英飛凌強大的第二代功率 MOSFET 溝槽(trench)技術為基礎,非常適用於高電流汽車馬達驅動應用、電子動力轉向(EPS),尤其是啟動/停止功能。IPB180N03S4L-H0 採用 D2PAK-7 封裝,以最少的成本同時提供高額定電流及最低導通電阻,滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET 的需求。

相較於從前的技術,採用 MOSFET 溝槽技術(例如 OptiMOS-T2)在導通電阻和閘電荷兩方面皆有顯著的改善,進而產生業界最低的優值係數(FoM)。此外,英飛凌創新的高電流「Powerbond」技術突破了 MOSFET 的銲線(wirebond)限制,可減少銲線的導通電阻壓降並提升電流能力。藉由維持更加冷卻的銲線,進而提升產品的可靠度。最新的 Powerbond 技術能夠於單一 MOSFET 中進行高達四個雙針腳 500um 銲線,以及在標準封裝中使用 180A 額定電流。

OptiMOS-T2 技術及堅固耐用的封裝設計可於 MSL1(Moisture Level 1)時的迴銲期間承受 260℃ 的高溫,並支援符合 RoHS 標準的無鉛電鍍。 IPB180N03S4L-H0 MOSFET 完全符合汽車電子協會(AEC-Q101)規格。 英飛凌的先進溝槽技術提供低閘電荷、低電容器、低切換耗損以及絕佳的 FoM,將電動馬達的效率提升至新的高峰,同時將電磁幅射量(EMC)降至最低。 此外,經過最佳化的閘電荷還可支援更小的驅動器輸出階段。

IPB180N03S4L-H0支援需要多個並聯 MOSFET 進行運作的高電流應用(500A 以上)。 由於 IPB180N03S4L-H0 提供 180A 額定電流,因此可為高電流系統減少一個所需的並聯 MOSFET,以最佳化電流分享、溫度特性及成本。 隨著汽車電動馬達改為以脈衝寬度調變(PWM)控制來提升效率,OptiMOS-T2 30V 產品也可透過反向連接來提供電池保護。

30V IPB180N03S4L-H0 具備 180A 汲極電流且導通電阻值僅 0.9mΩ,目前已開始量產。此外,英飛凌還針對極具成本考量之應用,推出另款具備 30V/180A (IPB180N03S4L-01) 且在10V時,導通電阻值僅 1.05mΩ的產品。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 英飛凌針對汽車應用推出低導通電阻的30...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首