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北京清大研發新技術改善MRAM儲存速度與功耗

上網時間: 2010年08月31日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MRAM  電子開關  速度  功耗  北京清大 

來自北京清華大學的研究人員開發出一種新技術,號稱能讓MARM的儲存速度與功耗大幅改善;這種電子開關(electrical switching)技術寫入位元所需的能源較少。

上述新技術的基本概念,是將磁域開關「部分」開關、而非完全轉換其磁場方向;北京清大的研究人員表示,這種方式仍能讓MARM儲存二進制位元,但所需的開關速度卻快得多,所耗費的能源量也是會比一般狀況少很多。

傳統MRAM是利用磁場來開關位元單元,使得這種記憶體的密度不如快閃記憶體;不久前,一個日本研究團隊也發表了利用電子開關方式執行垂直寫入,讓MRAM儲存密度可獲得大幅提升、甚至可超越快閃記憶體的方法。北京清大的研究團隊則聲稱,以電子方式開關的MRAM,在速度與功耗方面都優於目前的磁性開關元件。

不同於磁性開關的MRAM位元單元需要較複雜的多層堆疊(multilayered stack),北京清大研究人員所製作的電子開關MRAM位元單元,僅只使用了兩層不同的鐵電薄膜。透過將該雙層架構的條紋狀磁區間的障壁打散,會產生一種影響其磁性的電子訊號;這會讓該架構轉換成單一磁區,其薄膜的電阻率也被改變到剛好偵測得到。

北京清大的研究人員證實,在他們的MRAM位元單元提供一個電壓,能讓磁區障壁出現或是消失,用以儲存資訊。目前該團隊正在加強透過讓磁區障壁出現或消失所引起的電阻率改變,以最佳化其材料堆疊、期望可進行商業化。

(參考原文: China researchers claim faster MRAM,by R. Colin Johnson)





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