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憶阻器技術準備邁向商業化

上網時間: 2010年09月02日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ReRAM  HP  Hynix  憶阻器技術  商業化 

惠普(HP)近日宣佈與韓國業者海力士(Hynix)簽署合作研發協議,旨在將憶阻器(memristor)技術商業化;這兩家公司將共同開發新的材料與製程整合技術,好將HP的憶阻器技術由研發階段,推向以電阻式隨機存取記憶體(resistive random access memory,ReRAM)形式呈現的商業化開發階段。

HP表示,雙方的合作並非是排他的,該公司也有可能與其他廠商在 ReRAM 領域合作;而HP資深院士暨HP資訊與量子系統實驗室創始總監Stan Williams表示,該公司本身並不打算涉足ReRAM 業務。他在接受EETimes美國版採訪時透露,未來HP期望將ReRAM運用在自家產品中,但目前尚不能公開是哪種產品。

Williams指出,在初期,HP將與Hynix在晶片方面進行合作;接下來,HP期望將合作範圍擴及其他記憶體廠商。他表示,這將讓產業界能以具競爭力的價格買到ReRAM。

Hynix將在自有實驗室進行憶阻器的實作;該公司在記憶體技術方面是多方下注,目前也涉足其他競爭性記憶體技術的研究,包括與三星電子(Samsung Electronics)共同研發 MRAM 技術,以及與Grandis合作研發一種稱為「自旋轉移力矩隨機存取記憶體(spin-transfer torque RAM)」的新一代MRAM技術。

ReRAM與FeRAM、MRAM還有相變化記憶體(phase-change memory),都是新一代的記憶體技術;根據HP的介紹,ReRAM是一種低功耗的非揮發性記憶體,具備取代快閃記憶體的潛力,此外也有機會用以做為通用儲存媒介──也就是能扮演目前快閃記憶體、DRAM甚至是硬碟機等儲存裝置的角色。

Williams表示,採用ReRAM的終端產品預計在2013年底問世:「這是一種黑馬級的技術,我認為它將會脫穎而出。」HP與Hynix尚未定義出將採用ReRAM的第一批終端產品,但Williams認為,該種記憶體技術是固態儲存、PC主記憶體與其他產品的理想選擇。

(參考原文: HP, Hynix to commercialize the memristor ,by Mark LaPedus)

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