Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

ATMI與Ovonyx合作取得CVD製程PCM技術突破

上網時間: 2010年09月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:相變化記憶體  ATMI  Ovonyx  CVD  PCM 

ATMI和 Ovonyx 兩家公司日前宣佈,雙方在採用化學氣相沉積(CVD)製程商業化生產基於鍺銻碲化物(Germanium Antimony Telluride,GST)的相變化記憶體(PCM)方面取得突破性進展。

兩家企業正在合作開發的項目獲得重大進步,該採用化學氣相沉積技術生產的、基於鍺銻碲化物的相變化記憶體,不僅能夠實現製程微縮,而且是一種具有成本競爭力的記憶體技術。由於具有獨特的性能,相變化記憶體是記憶體體系中的新生代產品,且是NOR型快閃記憶體的替代性產品;相變化記憶體還能取代相當大部分先進製程節點的DRAM。

此項研究在高長寬比的相變化記憶體單元中實現了均勻沉積,與元件結構可對比的、採用濺鍍沉積(sputter-deposited)技術之GST 225相比,顯示出了良好的電學特性。結果包括各種CVD合金的沉積,設定速度低於50奈秒(ns),典型耐受時間為108~1010個週期,100°C以上的資訊保存時間為10年。

「基於鍺銻碲化物的相變化記憶體仍具備顯著的商業化潛力,是NOR型快閃記憶體和部分DRAM市場的一項替代性記憶體技術。」ATMI執行副總裁與微電子事業部總經理Tod Higinbotham表示:「但在實現更快速微縮製程的過程中面臨的挑戰之一,便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流(reset current)的完全密閉單元。降低復位電流可降低記憶體的耗電量,延長電池壽命和提高資料頻寬,這對於當前以數據為中心的、高度可攜式的消費性電子設備來說都是很重要的功能。」

兩家公司計劃向半導體產業授權這些技術,ATMI將提供相關的前驅體材料(precursor materials)和沈積技術,進一步推動和促進PCM高性能記憶體的商業化,並將於2010年第四季展示12吋晶圓CVD GST技術。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - ATMI與Ovonyx合作取得CVD製程PCM技術突...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首