Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

IBM晶圓廠聯盟成員否認遭遇高介電/金屬閘極製程問題

上網時間: 2010年09月30日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:高介電  金屬閘極  IBM  晶圓廠聯盟  high-k 

成員包括 GlobalFoundries 、Samsung等廠商的 IBM 晶圓廠聯盟,反駁了業界傳言該聯盟在高介電/金屬閘極(high-k/metal-gate)遭遇困難的傳言。

根據Barclays Bank 分析師Andrew Lu的一篇報告指出,由於可減少閘極漏電流,高介電/金屬閘極技術能降低電晶體的待機耗電,不過現在該領域出現了該採用「前閘極(gate-first)」或「後閘極(gate-last)」的爭議;所謂的前或後,指的是金屬閘極是在半導體製程中的高溫活化退火程序(high-temperature activation anneals)之前或之後,沉積到晶圓片上。

包括英特爾(Intel)、台積電(TSMC)等廠商是後閘極技術的支持者;其中英特爾是從45奈米節點開始生產高介電製程處理器,迄今已經推出兩代高介電製程產品。而IBM的晶圓廠聯盟則是採用前閘極技術,但到目前為止,該聯盟成員都尚未量產高介電製程晶片;採用IBM製程的AMD可望在2011推出第一代高介電處理器。

「具我們了解,前閘極技術支持者(包括Sematech以及IBM、Infineon、NEC、Globalfoundries、Samsung、ST與Toshiba)都面臨包括散熱不穩定(thermal instability)、閾值電壓飄移(threshold voltage shifts),以及閘堆疊重新生長(re-growth in the gate stack)等等問題,這對微縮電氧化層厚度的pMOS元件來說是很嚴重的。」Lu表示。

此外Barclays Bank 的報告預期,台積電可望成為28奈米節點前閘極高介電/金屬閘極技術領域的領導者。

但針對以上報告,IBM晶圓廠聯盟成員GlobalFoundries 提出反駁,甚至表示,由於該公司並非上市公司,並未與Barclays Bank等財經市場分析機構定期接觸,因此該報告的一些消息可能不是最新的。GlobalFoundries表示,該公司的32奈米高介電/金屬閘極製程,目前正在Fab 1進行初步生產。

而Samsung也回應指出,在6月初,該公司已經宣佈其32奈米高介電/金屬閘極製程通過品質驗證,包括1,000小時的高溫運作壽命(HTOL),也沒有遭遇相關問題。

(參考原文: IBM 'fab club' denies problems with high-k,by Mark LaPedus)





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - IBM晶圓廠聯盟成員否認遭遇高介電/金屬...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首