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FPGA/PLD  

Microsemi推出65nm快閃製程嵌入式平台

上網時間: 2010年11月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Actel  UMC  65nm  FPGA  SoC 

在收購Actel後,美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈,Actel產品線將成為該公司的SoC產品事業群,並同步推出使用聯電(UMC)的65nm eFlash快閃製程嵌入式平台,該平台將用來生產Microsemi下一代基於快閃記憶體的可客製化SoC,主要應用目標瞄準工業、醫療、軍事/航太、航空電子、通訊和消費市場。

Microsemi的「客製化SoC」產品線主要針對航太、衛星、軍事等需要極高密度和訊號處理能力的應用。新的SoC都將採用65奈米嵌入式快閃製程生產,並增加一個全新可擴展的 4輸入 LUT架構。和前代相比,密度將增加一倍,效能將提升兩倍。新平台將維持該公司在低功耗的領導地位,動態功耗將可降低65%,同時加強Flash*Freeze功能來提供更低的靜態電流。未來的元件將包括符合工業標準的匯流排介面,並可整合硬式矽智財,如嵌入式微處理器核心,DSP區塊,高速收發器,記憶體界面,非揮發性快閃記憶體和可程式類比。

美高森美SoC產品事業群行銷及業務資深副總裁Jay Legenhausen表示,該公司將推出的下一代耐輻射(RT)、基於快閃技術的SoC──第四代RT FPGA,將包含2,000萬閘,提供更多的正反器,記憶體和硬式嵌入式矽智財核心。這些元件將包括數位訊號處理(DSP)區塊,鎖相迴路(PLL)和高速介面,如SpaceWire、DDR2/3、 PCI Express等,以更快及更有效率地存取晶片上的資料。

以flash為基礎的新款 FPGA架構提供了緩衝功能來減緩輻射總劑量的影響和單事件效應 (single event effect, SEE)。與 SRAM FPGA相比,美高森美基於快閃技術的耐輻射FPGA固有的配置既可防止單一事件擾亂(single event upset, SEU),因此免除板級緩衝機制的需要。

美高森美和聯電已向市場推出65奈米嵌入式快閃製程。公司內部已完成首個矽晶圓樣品。 美高森美的SoC產品事業群同時也針對在商業和工業市場上的先期採用廠商,展開其客戶先導計畫,使這些廠商能提早使用其下一代設計。





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