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X-FAB供應採用XH018高壓製程的霍爾感測器

上網時間: 2010年12月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:摩爾定律  More than Moore  霍爾感測器  Hall effect  XH018 

類比/混合訊號晶圓廠X-FAB Silicon Foundries表示,已開始提供主即可用的霍爾感測器(Hall sensor),該元件採用 X-FAB 的0.18微米 XH018 高電壓製程,能完全吻合電池驅動應用的需求,加上程專屬的全新裝置與設計套件附加元件(add-on),可有效縮減系統單晶片(SoC)的設計時間與成本。

X-FAB是強調「超越摩爾定律(More than Moore)」技術的代工晶圓廠,此次提供的霍爾感測器,將讓工程師們能夠將整個感測應用的系統架構改變成為更高成本效益的單晶片解決方案,無需額外的佈局工作、更多的測試、測量或最佳化。另外,X-FAB也提供設計套件附加元件,滿足設計人員將這項裝置與晶片上的其他電路成功地整合的所有需求。

該公司表示,全新霍爾感測器適用於磁場的非接觸式偵測或測量,也適合於利用磁場間接測量距離、位置、旋轉角度、速度或電流的應用。例如,可用作手持產品的鄰接感應器、汽車速度感應器、機械式開關的替代品、直流(DC)馬達無刷控制、液平偵測器(fluid level detector)或智慧型電網(smart grid)應用的電表。這個全新感應器僅需極小電流即可運作,並且可以發揮完全的功能,包括偏移(offset)、敏感度與溫度。這項立即可用的霍爾感測器基礎裝置,現以IP區塊的形式提供給客戶佈局使用。

設計套件附加元件包括VerilogA模組,實現X-FAB模組化XH018製程的模擬。這個製程滿足嚴格的汽車業品管標準,也讓SoC設計工程師們能夠整合霍爾效應功能,搭配偏移補償與精準的訊號調校、高密度邏輯、微處理器核心、非揮發性記憶體、高電壓類比裝置與電路驅動(power drivers)。





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