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預期缺貨心理影響 1月NAND合約價小漲

上網時間: 2011年01月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DRAMeXchange  NAND Flash  合約價  缺貨  庫存 

根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構 DRAMeXchange 表示,市場原先預期 NAND Flash 價格將在年終備貨高峰期過後開始回軟,但受到去年 12月上旬東芝(Toshiba)跳電意外事件的影響,下游記憶卡客戶在預期1月份時市場將發生供貨減少的狀況、且年底前記憶卡客戶的庫存也處於低水位的狀況;在預期缺貨的心理下,客戶自去年12月中旬起已開始提前準備中國農曆年前的備貨所需庫存,致使 NAND Flash 合約價在12月份出現較明顯的止跌反彈狀況,且1月份部份供應商也接到智慧型手機平板電腦等系統客戶的OEM 訂單,因此1月上旬NAND Flash的供貨呈現偏緊的狀況,故 1月上旬主流 MLC NAND Flash 合約價上漲約2~5%。

展望後市,DRAMeXchange認為,因記憶卡客戶在年終假期的銷售狀況大致符合預期,若1月底前中國的嚴寒天氣未明顯影響地到供銷體系,預期客戶的庫存回補需求在中國農曆年前將可望持續而使價格呈現小幅上漲或持穩的狀況,但中國農曆年過後預期來自記憶卡客戶的採購需求將開始受到淡季效用的影響而轉弱,故價格的支撐力將需視系統客戶的OEM訂單在2月份後能否彌補記憶卡及隨身碟(UFD)市場的淡季效應而定。


DRAMeXchange預期,2011年第二季除了部份系統客戶的OEM訂單仍將持穩外,更多系統客戶的高性能高容量的行動裝置新產品可能要到下半年才會正式上市,因此第一季NAND Flash市場將呈現淡季不淡的狀況,價格呈現小幅反彈的狀況,但第二季傳統淡季型態仍將存在,價格將會呈現下跌的狀況;下半年若先進國家經濟能持續復甦,則來自更多廠商的智慧型手機,平板電腦及可攜式PC新產品上市效用,將可望進一步強化下半年的旺季備貨效應需求,進而帶動價格在第三季止跌反彈。


此外DRAMeXchange指出, 2011年多數供應商的產出成長策略,也將採取接近市場需求的成長率模式,希望能使2011年NAND Flash市場維持在供需較平衡的狀況,以便降低價格下跌對獲利率的影響程度,但我們預期2011年價格受季節性因素的影響,會比2010年來得明顯,預期2011年NAND Flash 的價格走勢也將會大致反應製程成本升級的下降效益,年度價格跌幅約29%,高於2010年的15%。

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2006~2011年半導體市場預測

此外DRAMeXchange指出, 2011年多數供應商的產出成長策略,也將採取接近市場需求的成長率模式,希望能使2011年NAND Flash市場維持在供需較平衡的狀況,以便降低價格下跌對獲利率的影響程度,但我們預期2011年價格受季節性因素的影響,會比2010年來得明顯,預期2011年NAND Flash 的價格走勢也將會大致反應製程成本升級的下降效益,年度價格跌幅約29%,高於2010年的15%。





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