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力旺宣佈其NeoFlash矽智財進軍觸控與Gauge IC應用

上網時間: 2011年03月31日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:嵌入式快閃記憶體  NeoFlash  觸控晶片  電池容量偵測晶片  力旺 

台灣嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory)矽智財供應商力旺電子(eMemory)宣佈,其嵌入式快閃記憶體矽智財 NeoFlash 除可應用於 MCU 、消費性電子產品外,近期內已成功實現於觸控晶片(Touch Panel Controller IC)與電池容量偵測晶片(Gauge IC)之客戶產品上,並已進入試產階段。

力旺指出,因應消費性電子產品提高產品效能、降低功耗與縮小尺寸之需求,IC晶片嵌入使用 NeoFlash 矽智財將可大幅減少耗電量與整體系統產品之成本;以Gauge IC為例,嵌入使用NeoFlash矽智財將可有效儲存電池操作模式,記錄耗電程度,協助發揮電池之最佳效能,且因製程簡化,使其能較傳統內嵌式快閃記憶體節省至少25%的製造成本。

而力旺的NeoFlash因容量規格涵蓋範圍廣泛(16Kbits~2Mbits),特別適合須具有高度運用彈性之智慧型手機平板電腦微控制器等應用市場,可積極協助客戶推出多樣化產品、滿足不同需求。該公司核心技術NeoBit、NeoFlash與NeoEE具有製程簡單、成本低廉與保密性佳的優勢,應用端廠商將力旺矽智財產品嵌入晶片後,只需對晶片進行庫存管理,不須如傳統外掛式快閃記憶體進行額外之庫存管理,也毋需擔心因庫存不足或產能受限而延誤產品上市時間,能具體縮短開發週期。

其次,嵌入式矽智財因經過封裝,不容易被盜拷,對於重要資訊的保存更有保障。而NeoFlash系列矽智財最大操作電壓僅需6伏特,與邏輯製程完全相容,故使用NeoFlash可將外加之光罩數自一般8至9道縮減至2至3道,降低製程複雜度與生產成本。

力旺表示,展望未來,可預期NeoFlash與NeoEE之營收貢獻將漸次發酵,挹注產品營收。自NeoFlash系列矽智財推出迄今,已深獲台灣、美國、日本等地客戶之肯定,目前0.18微米之邏輯與高壓製程均已可供量產,而0.13微米與0.11微米則預計於2011年底通過驗證與導入量產。





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