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功率技術/新能源  

快捷Generation II XS DrMOS峰值效率達94%

上網時間: 2011年06月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DrMOS  MOSFET  功率密度  開關頻率  閘極驅動 

快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出 Generation II XS DrMOS [整合式驅動器 + MOSFET]元件系列,這些元件採用6mm x 6mm封裝,峰值效率達94%,同時能提供高功率密度,可讓設計人員滿足不同應用的特定設計需求。

快捷表示,高效率、高電流處理能力和小外形尺寸,都是電源設計人員為電壓調節器解決方案選擇元件時的最重要考慮因素。為滿足這一要求,新的 Generation II XS DrMOS元件採用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝,具有較高的系統效率,在12Vin、1Vout和25A條件下,重負載效率達91.5% 以上,峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS元件可在2MHz開關頻率下運作,同時具有最高50A的電流處理能力。

快捷半導體利用其在MOSFET、閘極驅動器IC和封裝技術方面的技術,對Generation II XS DrMOS元件作出最佳化處理,提供更高的效率,並且開發新的功能。這些技術提昇使得Generation II XS DrMOS系列元件成為刀鋒型伺服器、高性能遊戲主機板、高性能筆記型電腦、顯示卡,以及高電流DC-DC負載點(point-of-load)轉換器等應用的理想選擇。

Generation II XS DrMOS系列元件提供5V和.3V三態電壓準位以匹配Intel 4.0 DrMOS規範,同時與市場上的多種PWM控制器相容。這些元件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench MOSFET遮罩閘極技術而產生的振鈴雜訊。同步FET還整合了一個蕭特基二極體,免除外部緩衝器電路,提高整體性能和功率密度,同時減少占位空間和成本。Generation II XS DrMOS元件還可以為客戶加入一項過熱警報功能,可在故障期間防止出現過熱狀況。





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