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IR新型PQFN 2x2元件支援高密度、低功耗應用

上網時間: 2011年06月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IR  PQFN 2x2  MOSFET  封裝  低功耗 

國際整流器(International Rectifier,IR)擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝,且配合 IR 最新的HEXFET MOSFET 矽技術,為一系列的低功耗應用,包括智慧型手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、筆記型電腦伺服器和網路通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

新款的 PQFN 2x2 元件分別適用於20V、25 V和30 V,還有標準或邏輯水平閘極驅動器選擇。這些元件只需要4mm2的占位空間,並採用IR最新的低電壓 N通道和 P通道矽技術,從而達到極低的導通電阻(RDS(on)),以及等同PQFN 3.3x3.3或PQFN 5x6封裝的高功率密度。

這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而最佳化的 P通道元件,帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時,新元件的厚度少於1 mm,使它們與現有的表面黏著技術兼容,並且擁有行業標準的佔位空間,還符合電子產品有害物質限制指令(RoHS) 。





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