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控制技術/MCU  

宜普開發板協助客戶利用eGaN FET加速設計開發

上網時間: 2011年06月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:EPC9003  開發板  eGaN  FET  EPC2010 

宜普(Efficient Power Conversion Corp.)公司推出 EPC9003 開發板,讓使用者可更容易地在許多應用中利用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體(FET)進行設計,例如太陽能微型轉換器、D類音訊放大器、乙太網路供電和同步整流等應用。

EPC9003 是一種現成、容易連接開發板及具備詳細工程技術資料,便於加速基於200V EPC2010 的高頻開關電源轉換系統設計。EPC9003開發板最大輸入電壓為200V、最大輸出電流為5A、帶板載閘極驅動的半橋電路,核心元件是 EPC2010 200V eGaN FET 。這款開發板在單塊板上包含所有關鍵元件,非常容易連接任何現有轉換器,因此可簡化評估 EPC2010 eGaN FET 的過程。

EPC9003 開發板的尺寸是2" x 1.5",不僅在帶閘極驅動器的半橋結構中包含兩個 EPC2010 GaN FET ,而且還有一個板載閘極驅動電源和旁路電容器。另外還提供多個測試點,便於測量簡單的波形和運算效率。 EPC9003 開發板還備有一份快速入門指南可供參考。





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