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功率技術/新能源  

ST第六代功率MOSFET助為太陽能、CE應用實現節能

上網時間: 2011年06月22日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  太陽能  STripFET  DeepGATE  發電 

意法半導體(STMicroelectronics, ST)日前擴大採用第六代 STripFET 技術的高效功率MOSFET產品系列,為太陽能、電信及消費性電子應用領域的設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。

最新的 STripFET VI DeepGATE 功率 MOSFET 可承受高達80V的電壓,可用於太陽能發電應用(如微型逆變器)、電信設備、網路設備以及伺服器電源。高額定電壓可准許電晶體在48V電信應用中穩定工作,高能效並可有效降低營運業者的網路成本。此外,這項技術不僅可降低消費性電子的電源能耗,更可使其在更低的溫度下工作,從而提高用戶的使用體驗,並延長電池壽命。

首批推出的5款產品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由於採用了意法半導體最新的DeepGATE通道MOSFET架構,這五款產品擁有業界同類產品最低的每單位面積導通電阻。這些低損耗元件採用多種不同的微型工業標準封裝,使客戶能夠提高系統能效,同時降低印刷電路板的尺寸和總體元件數量/成本。

採用TO-220封裝的STP260N6F6、STP210N75F6與採用H2PAK-2表面貼裝的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2 目前已上市。採用PowerFLAT 5x6封裝的STL75N8LF6預計於2011年第三季推出樣品。PowerFLAT封裝可減少晶片的占板空間,同時最佳化輸出電流。





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