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XFAB在0.18um高壓製程新增eFlash方案

上網時間: 2011年07月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:XH018  eFlash  快閃記憶體  SoC  NVRAM 

X-FAB Silicon Foundries 在 XH018 0.18um 高壓製程上增加高可靠性的嵌入式快閃記憶體(eFlash)方案。此項方案提供業界最低的光罩層數,32層,其中包含數位、類比、高壓元件、並快閃記憶體,而快閃記憶體只需要額外2層光罩。

對高階系統晶片(SoCs),此方案具有極高的成本效益,而且其中的45V高壓元件與嵌入式的記憶體,EEPROM、非揮發性隨機記憶體(NVRAM)、與嵌入式快閃記憶體(eFlash),更適用於高速微處理器,數位電源,與車用電子。

全新的XH018嵌入式快閃記憶體(eFlash)方案提供兩種不同的記憶體模組── 8K x 32-bit 和 16K x 32bit,具備易於整合、快速存取等特性,而且比非嵌入式記憶體更耐用。此方案包含程式碼錯誤修正(ECC)的功能,允許程式在執行的同時修正錯誤。在1.8V或3.3V操作電壓下,提供快速讀取(50nS),並且不受溫度、操作電壓、與製程漂移的影響,而且支援低功耗(200uA/MHz)、與高溫讀取(175℃)的特性。

XFAB 總裁Rudi De Winter表示, XH018 嵌入式快閃記憶體(eFlash)方案能讓客戶輕易地藉由修改軟體來改變各樣產品的性能與架構。因此,客戶只要有一個高可靠性與高整合性的電路架構,就可以開發全系列的產品。

XH018嵌入式快閃記憶體(eFlash)方案也結合X-FAB現行的嵌入式非揮發性記憶體(NVM),包含一次性可程式化(OTP)與非揮發性隨機記憶體(NVRAM)。XFAB更提供編譯工具幫助工程師依據自身的需求來規劃記憶體的使用。

XH018嵌入式非揮發性記憶體(NVM)的設計套件與矽智財(IP)已開放授權並可於X-FAB技術中心(X-TIC)下載使用,其中EEPROM將於2011年的第四季開放授權。而完備的矽智財與電路方塊正在進行廣泛地測試與驗證,X-FAB計畫於2012年初提供不同的記憶體大小與高溫的特性數據。





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