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力旺採用台積電80奈米高電壓製程提供NeoBit技術

上網時間: 2011年07月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NeoBit  嵌入式非揮發性記憶體  eNVM  高電壓製程  OTP 

力旺電子(eMemory Technology)宣佈,其單次可程式記憶體 NeoBit 嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)矽智財技術已順利於台積公司80奈米高電壓製程完成可靠度驗證,並已成功導入客戶之高畫質(high-definition)顯示驅動晶片,將應用於下一世代智慧型手機。

單次可程式記憶體 NeoBit 於台積公司80奈米高電壓製程上展現卓越的可用性,提供高畫質顯示驅動晶片進行螢幕參數設定的功能,協助調校螢幕畫面色彩;另外,此項技術可提高影像銳利度,使畫質更清晰。力旺電子表示迄今已量產超過相當於兩百六十萬片內含 NeoBit 技術之八吋晶圓。

台積公司設計建構行銷處處長Suk Lee表示,力旺電子藉由台積公司80奈米高電壓製程的技術優勢,以高可靠度嵌入式非揮發性記憶體技術成功協助客戶創造出高整合度的智慧型手機高畫質顯示驅動晶片;這並說明台積公司的開放創新平台(Open Innovation Platform)可協助 IP 夥伴為共同客戶實現創新並創造價值。

力旺電子總經理沈士傑表示,藉由與台積公司的緊密合作,推出了80奈米高電壓製程 OTP 解決方案,力旺電子還將持續為客戶提供領先的OTP解決方案,滿足來自新世代手機、消費及通訊電子產品的各項需求。





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